PBM HF9 PBM在新的HF9型號上開發(fā)的技術(shù)不僅是我們通常在市場上發(fā)現(xiàn)的25-50 KHz的簡單高頻開關(guān)技術(shù),而且是一種工作頻率高達100KHz的SIC MOSFET技術(shù)。 與舊的充電技術(shù)相比,能源成本節(jié)省更多,并且對環(huán)境影響的關(guān)注度更高。
更新時間:2026-05-06
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PBM HF9 PBM在新的HF9型號上開發(fā)的技術(shù)不僅是我們通常在市場上發(fā)現(xiàn)的25-50 KHz的簡單高頻開關(guān)技術(shù),而且是一種工作頻率高達100KHz的SIC MOSFET技術(shù)。 與舊的充電技術(shù)相比,能源成本節(jié)省更多,并且對環(huán)境影響的關(guān)注度更高。
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